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麒麟9030拆解报告：中国7nm级工艺用DUV做出比Intel 18A更细的金属线_我的网站

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A | 【TechWeb】知名半导体分析机构 SemiAnalysis 发布了对华为麒麟 9030 芯片的拆解报告。报告显示，这颗由中芯国际（SMIC）代工的芯片，其最小金属间距（metal pitch）达到 32.5nm，比 Intel 最新的 18A 工艺 Panther Lake 的 36nm 还要大约 10%。更关键的是，这家中国晶圆厂是在无法获得最先进 EUV 光刻机的情况下，通过 DUV 多重 patterning 和设计-工艺协同优化（DTCO）达到这一密度水平。一颗“金属间距比 Intel 18A 更小”的中国芯片 SemiAnalysis 的拆解指出，麒麟 9030 采用 SMIC 的 N+3 工艺（第三代 7nm 级节点），其 M0 局部金属层间距为 32.5nm，而 Intel 18A 的 M0 间距为 36nm。

B | 这意味着在最细金属线宽这一指标上，SMIC N+3 已比 Intel 最新一代逻辑节点更“紧凑”。

C | 不过，报告也强调，金属间距只是衡量制程能力的指标之一，并不能代表整体工艺水平。

D | SMIC N+3 的晶体管密度约 113.4 MTr/mm²，略高于 TSMC N6 的 107.7 MTr/mm²，但仍明显落后于 Intel 18A 的高密度库。 8月24日消息，如今不仅是内存价格涨了5-10倍，SSD硬盘也比去年贵了好几倍，大家只能多找点节省空间的用法了，Win11就有技术就可以让C盘节约大量空间。

E | 没有 EUV，如何做到更密金属层？在 EUV 光刻机被出口管制限制的背景下，SMIC N+3 并没有“等 EUV 可用”才开始推进先进制程。

F | Neowin网站写了一篇文章，宣称有用户在翻阅Windows文档时发现了一个功能——Compact OS，它允许用户在压缩的文件系统上运行系统。SemiAnalysis 的分析显示： SMIC 通过“DUV 浸没式 + 自对准四重图形（SAQP）”等高复杂度工艺，实现与 TSMC N6 相当的逻辑密度，但代价是工序更多、成本更高、控制难度更大。微软也解释过Compact OS本质上是以压缩形态存储Windows系统文件，而不是将文件保存在未压缩的硬盘上，这将显著减少系统的磁盘占用，该功能对存储空间有限的设备非常有用。

G | 那具体能减少多少空间呢？微软之前提供了例子，4GB内存上使用Win10 x64系统，C盘空间未压缩时需要15.06GB，启用Compact OS压缩后只要11.3GB，单实例化之后更是只要10.09GB，差不多能减少5GB空间，相当于1/3空间减少了。报告明确提到，即便没有 EUV，SMIC 仍达到甚至超过了一些使用 EUV 的成熟节点（如 TSMC N6）的密度水平。这回答了 SemiAnalysis 提出的那个关键问题：在 EUV 不可得的前提下，中国芯片制造到底走到了哪一步？——至少从金属间距和局部密度看，它已经逼近甚至某些指标上“咬住”了最新一代制程。原文把Compact OS写的好像很神秘，单这个功能其实大家都见过，打开系统盘C盘的属性就能看到压缩的选项，它确实可以节省磁盘空间，但压缩之后意味着需要的时候也要先解压，多了额外的操作，有可能会给某些地方带来负担。还有一个图形化的CompactGUI软件可以更直观地管理压缩的文件，不需要命令行操作处理了，感兴趣的可以试试。这个功能默认是关闭的，微软自然有它的道理，所以只要不是C盘空间太小，一般也没必要开启这个功能，可以压缩的文件主要是一些系统文件及文本文件，图片视频游戏一般不行，压缩价值不大。

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。金属更密 ≠ 整体领先 SemiAnalysis 同时强调，“金属间距更小”的标题很抓眼球，但并不等同于工艺整体领先：在晶体管密度、性能、功耗等综合指标上，SMIC N+3 仍落后于 Intel 18A、TSMC N3P 等最先进节点。高密度是通过更复杂的 DUV 多重图形、更严苛的设计规则和工艺控制“换”来的，这在良率和成本上带来额外挑战。报告指出，麒麟 9030 的整体性能大致相当于三年前的 Android 旗舰 SoC，与当前苹果、高通、联发科、三星的最新旗舰仍有明显差距。对先进制程竞争格局的启示这次拆解再次说明，先进半导体竞争比“有没有 EUV”的简单二元判断更复杂：在没有 EUV 的条件下，SMIC 通过 DTCO、SAQP 等手段，仍然把金属层密度推进到接近甚至部分指标优于 Intel 18A 的水平。这意味着出口管制改变了问题的难度，但并未完全冻结中国先进制程的演进路径。同时，从性能、功耗、良率等多维度看，SMIC 与全球最领先工艺之间仍有明显差距，中国在整体生态、EDA、材料与设备等方面仍面临“追赶之路”。